Orientador: Roberto Luzzi

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de...

Resumo: Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiação incidente ( wl ) e daquela espalhada ( ws ). Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um. formalismo de matriz S e técnicas de propagadores no espaço dos momentos determinamos a Intensidade Integrada de espalhamento e a vida média dos estados eletrônicos. Completamos o trabalho com uma aplicação ao caso Específico do InSb onde discutimos uma série de pontos interessantes. Não são incluídos efeitos de temperatura

Abstract: Not informed