Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular...

Resumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular a estrutura eletrônica de superfícies

Abstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite...

Abstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite convenient for the calculation of electronic structures of surfaces