Deposição e caracterização de filmes finos de We WSi e estudo da estabilidade termica do contato Schottky sobre GaAs

Deposição e caracterização de filmes finos de We WSi e estudo da estabilidade termica do contato Schottky sobre GaAs

Marcio Favoretto

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP F279d

Campinas, SP : [s.n.], 1992.

[185]f. : il.

(Publicação FEE)

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo das características físicas e elétricas de filmes finos de tungstênio (W) e siliceto de tungstênio (WSix) em função dos par âmetros de deposição por técnica de "sputtering" tipo RF magnetron. Os filmes finos. com espessura de aproximadamente 200 nm,...

Abstract: This dissertation presents a study of the physical and electrical characteristics of W and WSi x thin films as a function of the deposition parameters, done RF magnetron sputtering. Thin films of about 200 nm thickness were deposited on GaAs and SiO/2Si substrates. The depositions were...

Deposição e caracterização de filmes finos de We WSi e estudo da estabilidade termica do contato Schottky sobre GaAs

Marcio Favoretto


										

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Marcio Favoretto

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