Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD

Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD

Marco Antonio Sacilotti

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Sa14e

Campinas, SP : [s.n.], 1976.

47 f. : il.

Orientador: Navin B. Patel

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: A existência de pouquíssimos dados experimentais sobre recombinações radiativas em laser de heteroestrutura dupla de semicondutor com a variação da temperatura nos levou a empreender este trabalho. Os lasers modernos de heteroestrutura dupla (HD), que apresentam densidade de corrente. Limiar...

Abstract: There is a lack of experimental data about radiative recombination mechanisms in double heterostructure (DH) semiconductor lasers with variation of temperature. The modern DH lasers which show low threshold current densities compared with earlier lasers (1970a,d), have not been studied...

Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD

Marco Antonio Sacilotti


										

Efeitos de temperatura sobre corrente limiar de laser de semicondutor ALxGA1-xAs-HD

Marco Antonio Sacilotti

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