Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Nos últimos anos, sistemas InGaAsP-InP têm mostrado serem de grande interesse na fabricação de dispositivos como LEDs, LASERs, detetores(19,20,21), circuitos integrados etc. Estes avançados dispositivos requerem um controle preciso da concentração de portadores e átomos de impurezas bem como...

Resumo: Nos últimos anos, sistemas InGaAsP-InP têm mostrado serem de grande interesse na fabricação de dispositivos como LEDs, LASERs, detetores(19,20,21), circuitos integrados etc. Estes avançados dispositivos requerem um controle preciso da concentração de portadores e átomos de impurezas bem como da posição da junção p-n. A difusão de elementos do grupo II, principalmente Zn e Cd, em InP e InGaAsP é uma das chaves tecnológicas na fabricação de tais dispositivos. A liga In0,97Ga0,03As0,08P0,92 que estudamos, é utilizada como camada confinante na fabricação de Lasers, sendo a mais espessa, onde o perfil de difusão de portadores torna-se importante. Neste trabalho nos dedicamos ao estudo da difusão de Zinco e Cádmio nos materiais supracitados, onde utilizamos o método da ampola selada. Na primeira parte do trabalho, introduzimos alei que rege a maioria dos processos de difusão, ou seja, a Lei de Fick, e analisamos algumas de suas conseqüências. No capitulo II mostramos O sistema de difusão utilizado e descrevemos detalhadamente os ajustes feitos. Também mencionamos os métodos de medidas de difusão que utilizamos. No capitulo III apresentamos os resultados obtidos e as discussões. O capitulo IV dedicamos à conclusão e sugestões de uma possível continuação deste trabalho

Abstract: Not informed