Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Celso Pereira Tome Rosa

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP R71e

Campinas, SP : [s.n.], 1985.

158 f.

Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma correlação entre os dados experimentais, obtidos para a variação da corrente limiar com aumento da pressão uniaxial...

Abstract: Not informed

Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Celso Pereira Tome Rosa


										

Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Celso Pereira Tome Rosa

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