Orientadora : Alaide P. Mammana

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas

Resumo: Construiram-se heterojunções de. óxido de índio por evaporação térmica e por canhão de elétrons sobre silício monocristalino, tipos p e n e de resistividades escolhidos entre 0,015 a 15 ?cm. Os filmes de In2O3 submetidos ao tratamento térmico, alcançaram transparência acima de 85% na faixa...

Resumo: Construiram-se heterojunções de. óxido de índio por evaporação térmica e por canhão de elétrons sobre silício monocristalino, tipos p e n e de resistividades escolhidos entre 0,015 a 15 ?cm. Os filmes de In2O3 submetidos ao tratamento térmico, alcançaram transparência acima de 85% na faixa do visível (300 a 2500 nm), e baixas resistividades, da ordem de l0-2 a 10-3 ?cm. As análises por microscopia eletrônica e por difração de raios-x revelaram filmes policristalinos de forma cúbica de corpo concentrado cujos grãos tem aproximadamente 100nm a 200 nm. Por sua vez microanálise por espectroscopia de elétrons não revelou desvios estequiométricos nem tampouco a presença de outras fases químicas foram identificadas. Já a análise por microsonda eletrônica revelou traços de Mo e W utilizados nos cadinhos de evaporação térmica. Para conveniência das medidas elétricas os dispositivos foram montados com áreas de aproximadamente de 10mm2. Heterojunções de In2O3/Si-n, sob iluminação de AM1, apresentaram tensão de circuito aberto da ordem de 0,25V e correntes de curto circuito da ordem de 20mA/cm2. Também as amostras obtidas com Si-n de baixas resistividades (0,015?cm) apresentaram o comportamento de fotoiodos. A grande limitação destas células está no alto valor de resistência série apresentado (>50?) fazendo com que a eficiência caia para 1 a 2%. Os dispositivos de In2O3/Si-p de resistividades entre 1 a 10 ?cm apresentaram pobre retificação com baixos valores de Voc e Isc , quando sob iluminação, em contradições às expectativas baseadas em resultados publicados por outros grupos de pesquisas. Já substrato de Si-p de baixa resistividades (0,015 ?cm) levaram a dispositivos com características ôhmicas, de acordo com os modelos anteriormente propostos

Abstract: Not informed