Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos
Peter Alexander Bleinroth Schulz
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP Sch84p
Campinas, SP : [s.n.], 1985.
61 f. : il.
Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no...
Ver mais
Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no infravermelho desse material
Ver menos
Abstract: We introduce a model for the lattice dynamics of a-Si1-xNx. This model is based on a Born Hamiltonian, solved in the Bethe lattice approximation. Starting from the local density of vibrational states, we analyze the infrared absorption spectra of this material
Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos
Peter Alexander Bleinroth Schulz
Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos
Peter Alexander Bleinroth Schulz
Exemplares
Nº de exemplares: 2
Não existem reservas para esta obra