Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos

Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos

Peter Alexander Bleinroth Schulz

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Sch84p

Campinas, SP : [s.n.], 1985.

61 f. : il.

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no...

Abstract: We introduce a model for the lattice dynamics of a-Si1-xNx. This model is based on a Born Hamiltonian, solved in the Bethe lattice approximation. Starting from the local density of vibrational states, we analyze the infrared absorption spectra of this material

Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos

Peter Alexander Bleinroth Schulz


										

Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos

Peter Alexander Bleinroth Schulz

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