Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP Sch84p
Campinas, SP : [s.n.], 1985.
61 f. : il.
Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no...
Resumo: Apresentamos um modelo para a dinâmica de rede do a-Si1-xNx. Esse modelo se baseia em um Hamiltoniano de Born, resolvido na aproximação da rede de Bethe. A partir da densidade local de modos normais de vibração, obtida pelo método das funções de Green, analisamos o espectro de absorção no infravermelho desse material
Abstract: We introduce a model for the lattice dynamics of a-Si1-xNx. This model is based on a Born Hamiltonian, solved in the Bethe lattice approximation. Starting from the local density of vibrational states, we analyze the infrared absorption spectra of this material