Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores : Si-Sno2

Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores : Si-Sno2

Paulo Fulco

TESE

Português

T/UNICAMP F956e

Campinas, SP : [s.n.], 1984.

124 f.

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: É desenvolvido uma técnica para calcular a densidade de estados de superfícies e interfaces. O método utilizado é o do Hamiltoniano de ligação forte, baseado no esquema de Slater-Koster. As funções de Green, surgidas do formalismo da teoria de espalhamento são desacopladas através do...

Abstract: We develop a technique to calculate the density of state of surfaces and interfaces. The method used here is the tight-binding Hamiltonian based on the Slater-Koster approach. The Green functions, which arise from the formalism of the scattering theory, are decoupled through the...

Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores : Si-Sno2

Paulo Fulco


										

Estados eletrônicos de superfície e interfaces em semicondutores : Si-Sno2

Paulo Fulco

    Exemplares