Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Cesar Augusto Curvello de Mendonça

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M523c

Campinas, SP : [s.n.], 1987.

66 f.

Orientador: Eliermes Arraes Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Foram feitas medidas de fotoluminescência em regime de baixo nível de excitação ótica e baixas temperaturas (< 2K). Os objetivos deste trabalho foram a caracterização e o estudo de algumas amostras de Arseneto de Gálio(GaAs), crescidas por Epitaxia por Feixe Molecular(MBE) não dopadas, e...

Abstract: Photoluminescence measurements have been performed under low excitation levels and low temperatures (< 2K). The main goals in this work has been the characterization and the study of some samples of undoped Gallium Arsenide (GaAs), grown in a Molecular Bean Epitaxy (MBE) system, and...

Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Cesar Augusto Curvello de Mendonça


										

Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Cesar Augusto Curvello de Mendonça

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