Defeitos localizados em semicondutores

Defeitos localizados em semicondutores

George Balster Martins

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M366d

Campinas, SP : [s.n.], 1987.

191f.

Orientador: Gaston Eduardo Barberis

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿...

Abstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding...

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George Balster Martins


										

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