Orientador: Gaston E. Barberis

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Usando o método semi-empírico "Tight Binding", aproximação de primeiros vizinhos e uma base sp3s*, onde s* é um pseudo estado excitado, o qual substitui os estados excitados de outras interações (modelo de Vogi), recalculamos a estrutura de bandas de 16 semicondutores com estrutura...

Resumo: Usando o método semi-empírico "Tight Binding", aproximação de primeiros vizinhos e uma base sp3s*, onde s* é um pseudo estado excitado, o qual substitui os estados excitados de outras interações (modelo de Vogi), recalculamos a estrutura de bandas de 16 semicondutores com estrutura zincblenda e aplicamos o método para CdTe. A partir da estrutura de bandas, calculamos então, vacâncias ideais nesses mesmos semicondutores, assim como a parte imaginária da função dielétrica. Calculamos também as bandas de valência do composto iônico NaCl.
Os resultados mostraram-se em boa concordância com resultados experimentais e teóricos obtidos por outros métodos, o que é altamente satisfatório, visto que com os demais modelos "Tight Binding" não era possível obter resultados realísticos para a maioria das propriedades

Abstract: Using the Vogi¿s model for the semi-empirical Tight Binding method, we have recalculated the band structure of 16 semiconductors with zincblenda structure and that for CdTe. Using these band we have calculated the density of states, ideal vacancies and the imaginary part of the dielectric...

Abstract: Using the Vogi¿s model for the semi-empirical Tight Binding method, we have recalculated the band structure of 16 semiconductors with zincblenda structure and that for CdTe. Using these band we have calculated the density of states, ideal vacancies and the imaginary part of the dielectric function for these compounds. The valence bands of the ionic compound NaCl have been also calculated. The results are very satisfactory and in good agreement with experiments and others calculations