O método semi-empírico "Tight Binding" aplicado ao cálculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacância ideal e função dielétrica em semicondutores

O método semi-empírico "Tight Binding" aplicado ao cálculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacância ideal e função dielétrica em semicondutores

Denise Fernandes de Mello

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M489m

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

86f.

Orientador: Gaston E. Barberis

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Usando o método semi-empírico "Tight Binding", aproximação de primeiros vizinhos e uma base sp3s*, onde s* é um pseudo estado excitado, o qual substitui os estados excitados de outras interações (modelo de Vogi), recalculamos a estrutura de bandas de 16 semicondutores com estrutura...

Abstract: Using the Vogi¿s model for the semi-empirical Tight Binding method, we have recalculated the band structure of 16 semiconductors with zincblenda structure and that for CdTe. Using these band we have calculated the density of states, ideal vacancies and the imaginary part of the dielectric...

O método semi-empírico "Tight Binding" aplicado ao cálculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacância ideal e função dielétrica em semicondutores

Denise Fernandes de Mello


										

O método semi-empírico "Tight Binding" aplicado ao cálculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacância ideal e função dielétrica em semicondutores

Denise Fernandes de Mello

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