Estudo da aplicação de pressão em semicondutores pelo método SCF-X
TESE
Português
T/UNICAMP G947e
Campinas, SP : [s.n.], 1979.
118 f. : il.
Orientador: Nelson de Jesus Parada
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Este trabalho tem um duplo objetivo. Em uma primeira parte desenvolver o método de cluster, variante cristalina, visando aplicá-lo ao estudo de cristais covalentes. Na segunda parte do trabalho o método é usado no estudo de um material iônico. São estudados, também, os efeitos causados sobre...
Resumo: Este trabalho tem um duplo objetivo. Em uma primeira parte desenvolver o método de cluster, variante cristalina, visando aplicá-lo ao estudo de cristais covalentes. Na segunda parte do trabalho o método é usado no estudo de um material iônico. São estudados, também, os efeitos causados sobre as bandas de energia deste material pela aplicação de pressão hidrostática. O material escolhido para a primeira parte do trabalho foi a GaSb. Para a segunda parte foi escolhido o CuCl. Foram obtidos resultados bastante interessantes para os dois tipos de material
Abstract: This work is composed of two distinct parts. In the first part we intend to develop the cluster method, crystaline variant, intending to study covalent crystals. In the second part the method is applied to the study of an ionic material. We also studied the effects of the application of...
Abstract: This work is composed of two distinct parts. In the first part we intend to develop the cluster method, crystaline variant, intending to study covalent crystals. In the second part the method is applied to the study of an ionic material. We also studied the effects of the application of hidrostatic pressure on the energy bands of the material. The compound used in the first part of this work was the GaSb. In the second part we used the CuCl. Many interesting results were obtained in both parts of this work
Estudo da aplicação de pressão em semicondutores pelo método SCF-X
Estudo da aplicação de pressão em semicondutores pelo método SCF-X
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