Estudo dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZn

Estudo dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZn

Jose Bras Barreto de Oliveira

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP OL4e

Campinas, SP : [s.n.], 1989.

148f.

Orientador: Jose Claudio Galverani

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho foram estudadas algumas propriedades de contatos ôhmicos obtidos pela deposição de filmes do tipo (AuGe), (AuGeNi+AuNi) sobre substratos n-GaAs e filmes do tipo (Au+Zn+Au) sobre substratos p-GaSb.
Foi realizado um estudo comparativo entre três métodos de medida da...

Abstract: This work concerns to the study of ohmic contacts obtained by deposition of the (AuGe), (AuGeNi+AuNi) and (Ni+AuGe+Ni+Au) films on n-GaAs substrates and deposition of the (Au+Zn+Au) films on p-GaSb substrates.
With relation to contacts on p-GaSb it was verified the specific contact...

Estudo dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZn

Jose Bras Barreto de Oliveira


										

Estudo dos contatos ôhmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZn

Jose Bras Barreto de Oliveira

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