Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Izaque Alves Maia

Material

DISSERTAÇÃO

Idioma

Português

ISBN

(Broch.)

Número de chamada

T/UNICAMP M28c

Publicação

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

Descrição física

179f. : il.

Nota geral

Orientador : Ines Joekes

Nota de dissertação ou tese

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica

Assuntos

Gálio

Arsênio

Lasers semicondutores

Epitaxia

Autoria

Maia, Izaque Alves

Joekes, Ines, 1946-2013

Sites

Arquivos

Izaque Alves Maia

Izaque Alves Maia

Nº de exemplares: 2
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Tombo: 1150009530 Ano: 1988 Suporte: Impresso Nº de chamada: T/UNICAMP M28c Biblioteca: BCCL Situação: Não circula Visualizar QR Code	1150009530		1988		Impresso	T/UNICAMP M28c	BCCL		Não circula
Tombo: 1150009531 Ano: 1988 Suporte: Impresso Nº de chamada: T/UNICAMP M28c Biblioteca: IQ Situação: Disponível Visualizar QR Code	1150009531		1988		Impresso	T/UNICAMP M28c	IQ		Disponível