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Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Izaque Alves Maia

DISSERTAÇÃO

r d

T/UNICAMP M28c

Campinas, SP : [s.n.], 1988.

179f. : il.

Orientador : Ines Joekes

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica

Aberto

Gálio
Arsênio
Lasers semicondutores
Epitaxia

DOI:

Texto completo pdf

Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Izaque Alves Maia 

										

											
											
										

									

									

										

											

												
Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

											

												

														

		

							

					Izaque Alves Maia
				

		

	


												

										

										
    
										
    
											
										
    
									
    
								
    
							
    
						
    
					
    
				
    
			
    
		
    
	
    
	

    

	
	
    
		
    
			
    
				
    
					
    Exemplares
    
						
    
			Nº de exemplares: 1
		
    
			
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