Orientador: Eliermes Arraes Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Fizeram-se medidas de fotoluminescência em regime de baixa e alta intensidade de excitação, para uma temperatura de banho do cristal de CdSe de 77 K, quando então o sistema, composto de elétrons e buracos livres. Esta transição pôde ser observada tanto pelo deslocamento da posição do pico...

Resumo: Fizeram-se medidas de fotoluminescência em regime de baixa e alta intensidade de excitação, para uma temperatura de banho do cristal de CdSe de 77 K, quando então o sistema, composto de elétrons e buracos livres. Esta transição pôde ser observada tanto pelo deslocamento da posição do pico para baixas energias, quanto pelo seu ganho óptico. Desenvolveu-se o cálculo teórico da densidade de transição utilizando o critério de Mott aplicado às condições experimentais. Obteve-se uma boa concordância entre este resultado e aquele encontrado a partir dos ajustes dos espectros de luminescência

Abstract: Photoluminescence measurements have been performed under low to high excitation level, for a crystal bath temperature of 77 K , when the system, electrons and holes, undergoes a Mott phase transition from an exciton gas to a free electron-hole plasma. This transition has been observed from...

Abstract: Photoluminescence measurements have been performed under low to high excitation level, for a crystal bath temperature of 77 K , when the system, electrons and holes, undergoes a Mott phase transition from an exciton gas to a free electron-hole plasma. This transition has been observed from the shift of the peak position to low energies as well as from its optical gain. The density has been evaluated theoretically by applying Mott criterion to the experimental conditions. We have obtained a good agreement between this experimental result and that from the fittings of luminescence spectra