Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Douglas John Bull

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP B873c

Campinas, SP : [s.n.], 1977.

43 p. : il.

Orientador: Navin Bhailalbhai Patel

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Não informado

Abstract: Not informed

Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Douglas John Bull


										

Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativo

Douglas John Bull

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