Resumo: Neste trabalho analisamos a formação de estruturas dissipativas através de uma metodologia mecânico-estatística. Para tanto recorremos ao método do operador estatístico de não-equilíbrio de Zubarev. Esta formulação .fornece equações de transporte não-lineares que prescidem de quaisquer coeficientes fenomenológicos. A nossa análise foi elaborada para os plasmas em semicondutores altamente foto-excitados. Demonstramos que a partir de um nível crítico de excitação estes sistemas podem sofrer uma série de transições de um regime desordenado para um regime macroscopicamente ordenado. Este último é caracterizado por estruturas espacialmente auto-ordenadas na forma de ondas de densidade de cargas estacionárias Ver menos

Abstract: In this work we have analyzed the formation of dissipative structures through a statistical mechanics methodology. For this purpose we resort to the use of the nonequilibrium statistical operator method in Zubarev's approach. This formulation provide nonlinear transport equations without any phenomenological coefficient. Our analysis was elaborated for highly photo-excited plasmas in semiconductors. We demonstrated that for a critical level of excitation these systems can undergo a series of transitions from a disordered regime to a macroscopically ordered regime. The latter is characterized by spatially self-organized structures in the form of steady-state charge density waves Ver menos