Orientador: Franco Decker

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho é estudado o fenômeno da refletância para um sistema de três fases eletrólito/filme/substrato, através de medidas realizadas "in-situ" durante a eletrodeposição de um filme semicondutor de CdSe sobre um substrato metálico. O tratamento teórico do fenômeno da refletância é...

Resumo: Neste trabalho é estudado o fenômeno da refletância para um sistema de três fases eletrólito/filme/substrato, através de medidas realizadas "in-situ" durante a eletrodeposição de um filme semicondutor de CdSe sobre um substrato metálico. O tratamento teórico do fenômeno da refletância é feito a partir das equações de Fresnel. Da análise das curvas experimentais é possível determinar a taxa de crescimento e espessura óptica do filme em cada instante, a eficiência faradaica do processo e a dependência do índice de refração do filme com o comprimento de onda da luz incidente. Análises em Microscopia Eletrônica de Varredura permitem avaliar o fator de rugosidade do substrato e espessura microscópica do filme. Mostra-se também a aplicação deste filme semicondutor como camada fotossensível em células solares fotoeletroquimicas. A caracterização das células é feita por medidas de corrente de curto circuito, fotopotencial, eficiência de conversão sob iluminação policromática e eficiência quântica sob iluminação monocromática

Abstract: In this work the reflectance for a three phase system electrolyte/film/substract is studied through measurements made "in-situ" during the electrodeposition of a CdSe semiconductor film on a metallic substrate. The theoretical treatment of the reflectance phenomenon is derived from the...

Abstract: In this work the reflectance for a three phase system electrolyte/film/substract is studied through measurements made "in-situ" during the electrodeposition of a CdSe semiconductor film on a metallic substrate. The theoretical treatment of the reflectance phenomenon is derived from the Fresnel equations. From the analysis of the experimental data it is possible to establish the growth rate arid the optical film thickness at each instant, the Faradaic efficiency of the process and the film refraction index dispersion as a function of the wavelength of the incident light. Scanning electron microscopy analysis allowsto evaluate the substrate roughness factor and the film microscopic thickness. Moreover, it is shown the use of this semiconductor film as a photosensitive layer in solar photoelectrochemical cells. The cell characterization is made by means of measurements of short circuit currentt photopotential, conversion efficiency under polychromatic light and quantum efficiency under monochromatic light illumination