Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha
Jose Antonio Siqueira Dias
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP D543o
Campinas, SP : [s.n.], 1981.
1v. (varias paginações) : il.
(Publicação FEC)
Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Quando apresentada em 1972, uma das principais promessas da tecnologia I2L era a possibilidade de confeccionar circuitos digitais e analógicos na mesma pastilha. Entretanto, os requisitos necessários para a confecção dos circuitos I2L limitam severamente o desempenho dos transistores NPN da...
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Resumo: Quando apresentada em 1972, uma das principais promessas da tecnologia I2L era a possibilidade de confeccionar circuitos digitais e analógicos na mesma pastilha. Entretanto, os requisitos necessários para a confecção dos circuitos I2L limitam severamente o desempenho dos transistores NPN da parte analogica da pastilha, que apresentam
tensões de ruptura muito baixas devido ao fenômeno de "punch-through". Este trabalho apresenta uma nova técnica para a confecção de circuitos digitais I2L e circuitos de alta tensão de ruptura na mesma pastilha, usando apenas uma
máscara adicional em relação ao processo convencional de confecção de circuitos I2L e analógicos na mesma pastilha.
são apresentados tambem, além da máscara de teste, os resultados experimentais que fornecem, para uma estrutura I2L com 6 coletores, B eff = 8, e tempo de atraso míni mo por porta ta = 75 ns. Para os transistoresda parte analógica,obteve-se VCEO = 35V e VCBO = 65V Ver menos
tensões de ruptura muito baixas devido ao fenômeno de "punch-through". Este trabalho apresenta uma nova técnica para a confecção de circuitos digitais I2L e circuitos de alta tensão de ruptura na mesma pastilha, usando apenas uma
máscara adicional em relação ao processo convencional de confecção de circuitos I2L e analógicos na mesma pastilha.
são apresentados tambem, além da máscara de teste, os resultados experimentais que fornecem, para uma estrutura I2L com 6 coletores, B eff = 8, e tempo de atraso míni mo por porta ta = 75 ns. Para os transistoresda parte analógica,obteve-se VCEO = 35V e VCBO = 65V Ver menos
Abstract: Not informed.
Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha
Jose Antonio Siqueira Dias
Obtenção de um processo para a confecção de circuitos digitais I2L (logica de injeção integrada) e circuitos analogicos de alta voltagem na mesma pastilha
Jose Antonio Siqueira Dias
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