Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio
Elnatan Chagas Ferreira
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP F413o
Campinas, SP : [s.n.], 1984.
1v. (paginação irregular).
Orientador: Wilmar Bueno de Moraes
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas
Resumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia...
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Resumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silício.
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Abstract: Not informed.
Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio
Elnatan Chagas Ferreira
Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio
Elnatan Chagas Ferreira
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