Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn
Carmen Lucia Novis Cardoso
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP C179f
Campinas, SP : [s.n.], 1985.
56 f. : il.
Orientador: Eliermes Arraes Meneses
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2...
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Resumo: Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como sendo a transição do éxciton livre; linha A2, éxciton ligado à impureza doadora de Sn; linha A3, éxciton ligado a impureza aceitadora de Sn e a linha A4 como sendo réplica de um fonon LO da linha A3. A origem da banda B1 não é muito clara; a banda B2 é interpretada como sendo a recombinação do elétron da banda de condução com nível aceitador profundo de Sn e a banda B3 como sendo réplica de um fonon da banda B2. Além disto, alguns efeitos foram observados: A posição em energia do éxciton livre (linha A1) está » 7.4MeV acima do valor encontrado na literatura. A posição em energia do éxciton ligado a impureza aceitadora profunda de Sn (linha A3) está » 10.4MeV abaixo do valor encontrado na literatura. Alguns comentários são feitos sobre os efeitos observados
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Abstract: Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV), A2 (1.5264eV), A3 (1.4966eV) and the deep...
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Abstract: Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV), A2 (1.5264eV), A3 (1.4966eV) and the deep level region by bands B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) and B3 (1.2974eV). A1 line is interpreted as a free exciton transition; A2 as na exciton bound to Sn donor; A3 as na exciton bound to Sn acceptor and A4 as a LO phonon replica of A3. The origin of B1 band has not been clarified; B2 band is interpreted as a conduction electron ¿ Sn deep acceptor transition and B3 as being a phonon replica of B2 band. Moreover, some effects have been observed: The energy of the free exciton (A1 line) is » 7.4 meV higher than the value found in the literature. The energy of the bound exciton, A3 line, is » 10.4 meV lower than the value found in the literature. Some comments are made about the observed effects
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Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn
Carmen Lucia Novis Cardoso
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