Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Carmen Lucia Novis Cardoso

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP C179f

Campinas, SP : [s.n.], 1985.

56 f. : il.

Orientador: Eliermes Arraes Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2...

Abstract: Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV), A2 (1.5264eV), A3 (1.4966eV) and the deep...

Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Carmen Lucia Novis Cardoso


										

Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Carmen Lucia Novis Cardoso

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