Orientador: Jose Galvão de Pisapia Ramos

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Nucho et al (Phys. Rev. B17, 1843 e 4835 (1978) desenvolveram a aproximação da ligação química para o cálculo da constante dielétrica dos semicondutores tetraédricas. Eles expressam E1 (0), através das relações de Kramers-Kronig, como uma função dos momentos de ordem zero e primeira ordem de...

Resumo: Nucho et al (Phys. Rev. B17, 1843 e 4835 (1978) desenvolveram a aproximação da ligação química para o cálculo da constante dielétrica dos semicondutores tetraédricas. Eles expressam E1 (0), através das relações de Kramers-Kronig, como uma função dos momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w), desprezando contribuições de maior ordem. Nós extendemos o cálculo para os semicondutores II-VI com estrutura "zinc-bled"e para o Se e Te. No caso do Se e Te mostramos que as contribuições de maior ordem não podem ser desprezadas. Dos valores experimentais de E2 (w) e encontramos novos valores para o parâmetro que mede a delocalizaçào das funções de onda. Utilizando o modelo "tight-binding" com interações intra-cadeia e inter-cadeias, desenvolvido por Joanopoulos et al (Phys. Rev. B11, 2186 (1975)), nós obtivemos as funções de Wannier envolvendo os parâmetros de Hall-Weaire para os semicondutores Se e Te. Com os valores de Herman-Skillman para os orbitais atômicos, obtivemos resultados numéricos para os momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w) para o Se e Te que concordam com os valores obtidos dos gráficos experimentais de E2 (w) e com a estrutura de banda

Abstract: Nucho et al (Phys. Ver. B17, 1843 e 4835 (1978)) developed the chemical-bond approach to calculate the dielectric constant of tetrahedral semiconductors. They expressed e 1 (0), via Kramers-Kroing relations, as a function of the zeroth and first order moments of e 2 (w ) and neglected...

Abstract: Nucho et al (Phys. Ver. B17, 1843 e 4835 (1978)) developed the chemical-bond approach to calculate the dielectric constant of tetrahedral semiconductors. They expressed e 1 (0), via Kramers-Kroing relations, as a function of the zeroth and first order moments of e 2 (w ) and neglected higher order contributions. We extended the calculation to II-VI semiconductors with zinc-blend structure and to Se and Te. In the case of Se and Te we showed that the higher order contributions can not be neglected. From experimental data of e 2 (w ) to III-V semiconductors we obtained the zeroth and first order moments numerically and found new values for the parameter g which give us the delocalization of the wave functions. Using the tight-binding model with intrachain and inter-chain interactions, developed by Joannopoulos et al (Phys.Rev. B11, 2186 (1976)), we obtained the Wannier function involving the Hall-Weaire parameters for the semiconductors Se and Te. Utilizing the Herman-Skillman values for the atomic orbitals, we obtained numerical results for the zeroth and first order moments of e 2 (w ) for Se and Te that agree with the experimental values obtained from the experimental data and with the band structure