Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

Douglas de Freitas Takeuti

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP T14e

Campinas, SP : [s.n.], 1992.

[109]f. : il.

(Publicação FEE)

Orientador : Edmundo da Silva Braga

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Estudamos o comportamento de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor (MOS, aluminio-Si02-Si) após irradiação por raios-X (CU K-a ) e seu posterior tratamento térmico na faixa de temperatura (350 - 450)oC. Os óxidos foram crescidos termicamente, em ambiente de 02+TCE, sobre substratos Si(100),...

Abstract: Not informed.

Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

Douglas de Freitas Takeuti


										

Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

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