Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP B644m
Campinas, SP : [s.n.], 1984.
82f.
Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"
Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de...
Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X e elétrons obtidos com amostras de TTF-TCNQ e NbSe3, e resultados de medidas de ruído e condutividade elétrica anômala em TaS3.
O capitulo II descreve propriedades e características dos diodos luminescentes usados neste trabalho.
As experiências feitas são descritas e discutidas no capitulo III. Para estimar a amplitude das ondas de densidade de carga previstas para semicondutores excitados, mediu-se a intensidade de luminescência em função da posição para várias correntes de injeção, e estudou-se o comportamento diferencial dos perfis registrados. Estabeleceram-se limites superiores da ordem de 0.1 para a "profundidade de modulação" p de ondas de densidade de carga em GaAlAs e InGaAsP. Essas medidas foram dificultadas por problemas de deterioração rápida das amostras disponíveis
Abstract: Not informed.
Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
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