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Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo II

Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo II

Paulo Freitas Gomes

TESE

Português

T/UNICAMP G585p

[Optical properties of semiconductor type II quantum dots]

Campinas, SP : [s.n.], 2009.

146 p. : il.

Orientador: Fernando Iikawa

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin.

Resumo: No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados... Ver mais
Abstract: We present a study of erbium luminescence in silicon nanocrystals (nc-Si) and zinc oxide nanowires (nw-ZnO). Silicon nanocrystals are produced by annealing of amorphous sub-oxide thin films (SiOx) prepared by rf-sputtering varying the oxygen and erbium concentration during growth. Erbium... Ver mais

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Paulo Freitas Gomes

										

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