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Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Juliana Miyoshi

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M699i

[High K gate insulators for MOS technology]

Campinas, SP : [s.n.], 2008.

148 p. : il.

Orientador: Jose Alexandre Diniz

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação

Resumo: Filmes isolantes com alta constante dielétrica (high k) para a próxima geração (tecnologia CMOS de 32 nm), tais como óxido de titânio (TiOx), oxinitreto de titânio (TiOxNy), oxinitreto de titânio alumínio (AlxTiwOyNz), nitreto de titânio alumínio (AlxTiwNz) e óxido de titânio alumínio... Ver mais
Abstract: High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide... Ver mais

Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Juliana Miyoshi

										

Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS

Juliana Miyoshi

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