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Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo

Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo

Vitor Rafael Coluci

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP C723s

Campinas, SP : [s.n.], 2000.

78 f. : il.

Orientador: Mônica Alonso Cotta

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Os processos cinéticos - difusão e adsorção - responsáveis pela formação de estruturas superficiais na interface sólido-vapor durante a epitaxia de filmes finos cristalinos foram estudados usando o método Monte Carlo Cinético. O crescimento epitaxial foi simulado computacionalmente... Ver mais
Abstract: The kinetic processes - diÿusion and adsorption - responsible by the formation of surface structures at the solid - vapour interface during the epitaxy of crystaline thin films were studied using the Kinetic Monte Carlo method. The computational simulation of epitaxial growth was based on... Ver mais

Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo

Vitor Rafael Coluci

										

Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo

Vitor Rafael Coluci

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