Orientador: Sergio Moehlecke

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Filmes finos de óxido de índio estanho (ITO) foram crescidos utilizando o método de 'sputtering R.F.¿ reativo. As propriedades ópticas e elétricas destes filmes mostraram-se fortemente dependentes da pressão parcial de oxigênio durante a deposição. Do estudo dessa dependência e também, das...

Resumo: Filmes finos de óxido de índio estanho (ITO) foram crescidos utilizando o método de 'sputtering R.F.¿ reativo. As propriedades ópticas e elétricas destes filmes mostraram-se fortemente dependentes da pressão parcial de oxigênio durante a deposição. Do estudo dessa dependência e também, das condições de crescimento dos filmes, obtivemos um novo material e processo para aplicação como memória óptica. O processo de gravação baseia-se na mudança local (provocada pela luz de um 'laser') do índice de refração do material (opaco ® transparente) sem a sua destruição. Como resultado foi obtido um material sensível a laser de semicondutor de baixas potências, uma alta razão sinal/ruído de leitura e estabilidade das marcas de gravação. Este material possui características equivalentes aos outros existentes na literatura, com as vantagens que um processo não destrutivo proporciona

Abstract: Indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by reactive r.f. sputtering. The optical and electrical properties of these films showed strong dependence with the oxygen partial pressure during deposition. From the study of this dependence and of films growth conditions, we obtained...

Abstract: Indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by reactive r.f. sputtering. The optical and electrical properties of these films showed strong dependence with the oxygen partial pressure during deposition. From the study of this dependence and of films growth conditions, we obtained a new material and process for application as optical recording. The recording process Is based on the local change (caused by a laser light) of the refractive index of the material (opaque transparent) without Its destruction. As a result we have obtained a sensitive material to low power semiconductor lasers, a high signal noise ratio of reading and a good environmental stability. This material posses the same characteristics as the ones related in literature, with the advantage of the a non destructive process