Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron

Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron

Luiz Carlos Kretly

TESE

Português

T/UNICAMP K877d

Campinas, SP : [s.n.], 1992.

[362]f. : il.

Orientador: Attilio Jose Giarola

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Este trabalho descreve a tecnologia desenvolvida para construção de MESFETs de GaAs, (Metal Semiconductor Field Effect Transistors de Arseneto de Gálio), com geometria de porta mícron e submicron. Apresenta em detalhes todas as etapas para a construção destes dispositivos e os resultados...

Abstract: this work describes the technology developed for the construction of GaAs MESFET¿s (Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistors) with micron and submicron gate geometry. It describes in detail all the steps for the construction of these devices and the results obtained....

Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron

Luiz Carlos Kretly


										

Dispositivos semicondutores de alta velocidade : contribuição ao modelamento e a implantação de tecnologia de MESFETs de GaAs com geometria micron e submicron

Luiz Carlos Kretly

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