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Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Aline Bessa Veloso

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP V546p

[Optical properties of stacked inP/GaAs quantum dots]

Campinas, SP : [s.n.], 2007.

95 p. : il.

Orientador: Fernando Iikawa

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Nesta dissertação, estudamos as propriedades ópticas e estruturais de pontos quânticos (QDs) empilhados de InP/GaAs, crescidos por método de auto-formação, conhecido como o modo Stranskii-Krastanov, em um sistema de epitaxia por feixe químico. Os pontos quânticos de InP/GaAs possuem... Ver mais
Abstract: We studied the optical and structural properties of stacked InP/GaAs quantum dots (QD) grown by the self-organized Stranskii-Krastanov mode in a chemical beam epitaxy system. The InP/GaAs quantum dots present type-II band alignment, where only the electron is confined in the QD, while the... Ver mais

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Aline Bessa Veloso

										

Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAs

Aline Bessa Veloso

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