Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS

Fabio Aparecido Cavarsan

Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS

Fabio Aparecido Cavarsan

Material

DISSERTAÇÃO

Idioma

Português

ISBN

(Broch.)

Número de chamada

T/UNICAMP C314p

Título outro

[Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication]

Publicação

Campinas, SP : [s.n.], 2005.

Descrição física

103f. : il.

Nota geral

Orientador: Jose Alexandre Diniz

Nota de dissertação ou tese

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Assuntos

Dielétricos

Filmes finos - Propriedades elétricas

Semicondutores amorfos

Semicondutores - Difusão

Filmes semicondutores

Transistores de efeito de campo

Autoria

Cavarsan, Fabio Aparecido

Diniz, José Alexandre, 1964- Orientador

Swart, Jacobus Willibrordus, 1950- Avaliador

Tatsch, Peter Jürgen, 1949- Avaliador

Hayashi, Marcelo Assaoka, 1969- Avaliador

Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica

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DOI: https://doi.org/10.47749/T/UNICAMP.2005.400310

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