Resumo: Este trabalho mostra o desenvolvimento, fabricação e caracterização de um sensor de umidade microeletrônico, baseado em um capacitor com dielétrico higroscópico. O dielétrico higroscópico foi obtido através da deposição via LPCVD em reator vertical. Imagens AFM mostraram que esta técnica de deposição permitiu que a morfologia do filme fosse otimizada para seu emprego como material higroscópico. Um circuito conversor baseado na técnica do capacitor chaveado foi implementado para converter a variação da capacitância, do sensor de umidade, em variação de tensão. Resultados experimentais indicaram uma sensibilidade máxima de 23.3mV/%RH para RH variando de 15%RH até 70%RH Ver menos

Abstract: This work present the development, fabrication and caractization of a microelectronic sensor, based on a capacitor with hygroscopic dielectric. The hygroscopic dieletric was obtained through LPCVD using a vertical reactor. Images obtained by Atomic Force Microscope ¿ AFM allowed to optimize the morphology of the hygroscopic dieletric. A circuit converter based on the switched-capacitor technique was implemented to convert the variation of the capacitance of the humidity sensor in voltage variation. Experimental results presented a maximum sensitivity of 23.3mV/%RH to RH ranging between 15%RH and 70%RH Ver menos