Orientador: Lisandro Pavie Cardoso

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: No presente trabalho, foi implementado um programa (MULTX) que é utilizado para simular diagramas de difração múltipla de raios-X em geometria de Renninger. Neste programa, a teoria de difração múltipla de raios-X para cristais imperfeitos é utilizada. O cálculo interativo das intensidade...

Resumo: No presente trabalho, foi implementado um programa (MULTX) que é utilizado para simular diagramas de difração múltipla de raios-X em geometria de Renninger. Neste programa, a teoria de difração múltipla de raios-X para cristais imperfeitos é utilizada. O cálculo interativo das intensidade está baseado no termo geral da série de Taylor, cuja expansão da potência do feixe primário aparece em função da penetração x do feixe no cristal a partir da sua superfície. Este desenvolvimento permite considerar a interação simultânea dos muito feixes envolvidos no fenômeno de difração múltipla. Os diagramas simulados são calculados ponto a ponto e os testes para o Si e o GaAs apresentaram reproduções muito boas dos diagramas experimentais para diferentes reflexões primárias. O programa MULTX permitiu também uma primeira análise da influência de alguns fatores como polarização, largura mosaico e comprimento médio dos feixes difratados, nas intensidades multiplamente difratadas. Como uma primeira aplicação prática do programa de simulação de difração múltipla de raios-X, foi estudada uma camada epitaxial de GaAs crescida por Epitaxia Química em Vácuo (VCE) sobre substrato de Si. A concordância obtida é muito boa, desde que o cálculo dos comprimentos médios dos feixes difratados pela camada considere a grande redução da espessura

Abstract: Not informed