Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo

Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo

Monica Allonso Cotta

TESE

Português

T/UNICAMP C827e

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[117] f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Apresentamos aqui um estudo do crescimento de alguns compostos semicondutores III-V por epitaxia química em vácuo (do inglês Vacuum Chemical Epitaxy, VCE). O sistema VCE foi projetado em 1981 pelo Dr. L. M. Fraas na Chevront mas poucos trabalhos foram realizados sobre as características do...

Abstract: We present here a study on the growth of some III-V semiconductor compounds using Vacuum Chemical Epitaxy (VCE). The VCE system was designed by Dr. L. M. Fraas in 1981, while working in Chevron. Up to now, some few works have been published on VCE features, and on how they differ from...

Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo

Monica Allonso Cotta


										

Estudo do crescimento de compostos III-V por epitaxia química em vácuo

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