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Sintese e deposição de oxido de galio por CVD

Sintese e deposição de oxido de galio por CVD

Jose Lino Gonçalves

TESE

Português

(Broch.)

T/UNICAMP G586s

[Synthesis and deposition of gallium oxide by CVD]

Campinas, SP : [s.n.], 2002.

113 p. : il.

Orientador: Peter Jurgen Tatsch

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Resumo: O objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de um processo para a obtenção de óxido de gálio (A-Ga2O3). Foi montado um sistema de crescimento para deposição química a partir de vapor (CVD - Chemical Vapor Deposition), constituído de uma câmara de reação, aquecida por um forno resistivo... Ver mais
Abstract: The main objective of this work was to develop a process to obtain gallium oxide (A-Ga2O3) by Chemical Vapor Deposition (CVD). With this purpose, a CVD system was developed and employed for material growth at temperatures between 800°C and 1050°C. In the initial stage a mixture of... Ver mais

Sintese e deposição de oxido de galio por CVD

Jose Lino Gonçalves

										

Sintese e deposição de oxido de galio por CVD

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