Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em...

Resumo: Sabe-se que a curvatura da junção reduz a tensão de ruptura de junções p-n. Neste trabalho, desenvolveu-se uma técnica simples que usa pré-deposição convencional de boro com fontes dopantes sólidas, para fazer uma Extensão da Terminação da Junção (Junction Termination Extension - JTE) em substituição aos processos de implantação de íon de alto custo. Para a obtenção de níveis de dopagem extremamente baixos para a fabricação do JTE, uma camada de óxido bem fina é previamente crescida sobre o "wafer", por uma oxidação à baixa temperatura, atuando como uma barreira para a carga de boro, controlando a carga liquida que alcança a superfície do silício

Abstract: Junction curvature has been known to reduce the breakdown voltage of p-n junctions. A simple technique that uses conventional boron pre-deposition with solid sources dopants was developed in this work to make Junction Termination Extension (JTE) in substitution for the high cost...

Abstract: Junction curvature has been known to reduce the breakdown voltage of p-n junctions. A simple technique that uses conventional boron pre-deposition with solid sources dopants was developed in this work to make Junction Termination Extension (JTE) in substitution for the high cost ion-implanted processes. To obtain the extremely low doping levels for the fabrication of the JTE, a very thin oxide layer previously grown on the wafer by a LTO acts as a barrier to the boron charge, controlling the net charge that reaches the silicon surface