Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD

Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD

Jonder Morais

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP M792e

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[113] f. : il.

Orientador: Richard Landers

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho propomos crescer e caracterizar estruturas semicondutoras do tipo GaAs/GalnAs e InP/GalnAs, tendo em vista o estudo das interfaces. As amostras foram crescidas por MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) a pressão atmosférica. e foram analisadas por Espectroscopia de...

Abstract: Not informed

Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD

Jonder Morais


										

Emprego da espectroscopia de elétrons auger na otimização do crescimento de estruturas semicondutoras em MOCVD

Jonder Morais

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