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Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto

TESE

Português

T/UNICAMP B274i

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[168] f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Este trabalho experimental visa descrever a implantação e desenvolvimento de um laboratório de crescimento de semicondutores compostos III-V pelo método de Epitaxia Química em Vácuo, VCE (Vacuum Chemical Epitaxy). Diversos métodos epitaxiais são descritos em tentativa de situar o método VCE... Ver mais
Abstract: This experimental work deals with the implantation and development of a laboratory to grow III-V compound semiconductors by the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) method. Several epitaxial methods are described aiming to locate the VCE method in the general context of single crystal thin films... Ver mais

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto

										

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto

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