Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto

TESE

Português

T/UNICAMP B274i

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[168] f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Este trabalho experimental visa descrever a implantação e desenvolvimento de um laboratório de crescimento de semicondutores compostos III-V pelo método de Epitaxia Química em Vácuo, VCE (Vacuum Chemical Epitaxy). Diversos métodos epitaxiais são descritos em tentativa de situar o método VCE...

Abstract: This experimental work deals with the implantation and development of a laboratory to grow III-V compound semiconductors by the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) method. Several epitaxial methods are described aiming to locate the VCE method in the general context of single crystal thin films...

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto


										

Implantação e desenvolvimento de um laboratorio de crescimento epitaxial de semicondutores compostos III-V pelo metodo de epitaxia quimica em vacuo

Ciclamio Leite Barreto

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