Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica

Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica

Rogerio C. de Oliveira

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP OL4a

Campinas, SP : [s.n.], 1989.

[81] f. : il.

Orientador: Francisco C. Prince

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resuma: Não informado

Abstract: Not informed.

Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica

Rogerio C. de Oliveira


										

Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica

Rogerio C. de Oliveira

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