Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido

Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido

Alexandre Sansigolo Lujan

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP L968d

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[213]f. : il.

Orientador: Francisco Carlos de Prince

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho nos desenvolvemos uma nova técnica de difusão de Sem GaAs. A técnica usa um processador térmico rápido (RTP), para difusões de tempo curto (15-90s). Camadas com alta concentração (3x1018cm-3) e alta mobilidade (2000cm2/Vs), foram obtidas usando essa técnica. FET' s de arseneto...

Abstract: In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s...

Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido

Alexandre Sansigolo Lujan


										

Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido

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