Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticos

Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticos

Maria Salete Sartorio Loural

TESE

Português

T/UNICAMP L933c

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

[173]f. : il.

Orientador: Mario Tosi Furtado

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático de duas propriedades de compostos III-V que são de grande interesse tanto para a Física de Semicondutores como de Dispositivos: descontinuidade de bandas em heterojunções (HJs) isotipo crescidas por LPE e propriedades ópticas de poços...

Abstract: In this work, we present a systematic study of two properties of III-V compounds heterostructures which are of great interest to Semiconductor and Device Physics: band offsets in isotype heterojunctions (HJs) grown by LPE and optical properties of MOVPE grown quantum wells.
Using for...

Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticos

Maria Salete Sartorio Loural


										

Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticos

Maria Salete Sartorio Loural

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