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Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado

Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado

Fabio Dondeo Origo

TESE

Português

(Broch.)

T/UNICAMP Or4c

Campinas, SP : [s.n.], 2004.

132 p. : il.

Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Neste trabalho se estudou pela primeira vez a cristalização e a epitaxia por laser pulsado para a obtenção de filmes de SixG e1-x(x = 0, 0.1, 0,25, 0,5, 0,75 e 1) sobre substratos de GaAs. Foram utilizados pulsos de laser de Nd:Yag ¿ l =532 nm ¿ com duração de 7ns e spot size de 2 a 3 mm.... Ver mais
Abstract: In this work we studied, for the first time, the pulsed laser crystallization and epitaxy of SixGe1-x films (x = 0, 0.1, 0,25, 0,5, 0,75 and 1) on GaAs substrates. Nd:Yag laser pulses ( g =532 nm), 7 ns wide and 2 to 3 mm spot size, were applied. Amorphous layers and multilayers of Ge, Si... Ver mais

Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado

Fabio Dondeo Origo

										

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