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Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico

Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico

Jefferson Bettini

TESE

Português

(Broch.)

T/UNICAMP B466c

Campinas, SP : [s.n.], 2003.

139 p. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Apresentamos, neste trabalho, um estudo da dopagem residual e intencional, do ordenamento e das interfaces no crescimento epitaxial de InGaP/GaAs com os parâmetro de rede casados. O objetivo do trabalho é propiciar a obtenção de dispositivos com este material. Para a dopagem residual... Ver mais
Abstract: In this work we present a study on residual and intentional dopant elements, on ordering and on interfaces of InGaP lattice matched with GaAs. The goal of this study is to obtain semiconductor devices using this material. We have found that Carbon is the main residual dopant. It is... Ver mais

Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico

Jefferson Bettini

										

Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico

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