Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quânticos por MOCVD

Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quânticos por MOCVD

Aldionso Marques Machado

TESE

Português

T/UNICAMP M18c

Campinas, SP : [s.n.], 1991.

127 f. : il.

Orientador: José Carlos Valladão de Mattos

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: O crescimento epitaxial por MOCVD, juntamente com técnicas de caracterização ópticas e elétricas foi utilizado para se estudar a viabilidade da substituição das camadas de GaAl0,36As por GaInP. A caracterização elétrica possibilitou a monitoração do desempenho do reator de MOCVD. A...

Abstract: Using optical and electrical characterizations. We investigated the MOCVD growth of GalnP layers and a variety of heterojunctions showing the viability of replacing Ga0.64Al0.36As by GalnP lattice matched to GaAs substrate. The measured electrical characteristics of heterojunctions has...

Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quânticos por MOCVD

Aldionso Marques Machado


										

Crescimento epitaxial de heteroestruturas de poços quânticos por MOCVD

Aldionso Marques Machado

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