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Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Alexandre Gorni Felicio

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP F334f

Campinas, SP : [s.n.], 2003.

79f. : il.

Orientador: Jose Alexandre Diniz

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação

Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em substrato de silício com posterior oxidação térmica. Os filmes foram caracterizados por... Ver mais
Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy)films by low-energy molecular nitrogen (N21 into silicon substrate prior to thermal oxidation. The films were characterized by ellipsometry (thiclmess), infta-red absorption... Ver mais

Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Alexandre Gorni Felicio

										

Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Alexandre Gorni Felicio

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