Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

Gerald Weber

TESE

Português

T/UNICAMP W381p

Campinas, SP : [s.n.], 1990.

[98] f. : il.

Orientador: Luiz E. Oliveira

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Calculamos, utilizando um formalismo variacional, as energias de ligação de estados de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras dentro da aproximação da massa efetiva. Em um primeiro caso estudamos os estados de doadores ionizados em Ge sob pressão uniaxial na...

Abstract: We calculate, using a variational formalism, the binding energies of shallow impurity states in semiconductors and semiconductor heterostructures in the effective mass approximation. In a first case we study ionized donor states in Ge under an uniaxial stress in the [111] direction. We...

Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

Gerald Weber


										

Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras

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