Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons

Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons

Ayrton Andre Bernussi

TESE

Português

T/UNICAMP B458p

Campinas, SP : [s.n.], 1990.

[117] f. : il.

Orientador: Paulo Motisuke

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Este trabalho apresenta um estudo detalhado, por fotorefletância, de camadas de GaAs com dopagem planar de silício. As amostras foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular com diferentes concentrações de Si e diferentes espessuras da camada de topo. As estruturas observadas...

Abstract: In this work we present a detailed study of photoreflectance measurements on silicon d-doped GaAs samples. These samples were grown by molecular-beam epitaxy technique. With different silicon concentration and cap layer thickness. The features, observed in the photoreflectance spectra...

Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-dimensional de elétrons

Ayrton Andre Bernussi


										

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