Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Alexandre Camilo Junior

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP C146c

Campinas, SP : [s.n.], 1990.

[99] f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP. O material crescido foi caracterizado principalmente por Efeito Hall e fotoluminescência e os resultados comparados com os...

Abstract: In this work we present a study on the growth of InP/InP with the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) technique. The VCE system used for this work was the one at Device Research Laboratory/DFA-UNICAMP. The grown material was mainly characterized by Hall effect and photoluminescence; these...

Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Alexandre Camilo Junior


										

Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Alexandre Camilo Junior

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