Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Foram medidos a resistividade e o coeficiente de Hall de camadas epitaxiais de n-In0.53Ga0.47As crescidas sobre substratos semi-isolantes de Inp:Fe por L.P.E (epitaxia da fase líquida) na faixa de temperatura de 4,2-300K. a mobilidade, experimentalmente determinada, isto é, a mobilidade de...

Resumo: Foram medidos a resistividade e o coeficiente de Hall de camadas epitaxiais de n-In0.53Ga0.47As crescidas sobre substratos semi-isolantes de Inp:Fe por L.P.E (epitaxia da fase líquida) na faixa de temperatura de 4,2-300K. a mobilidade, experimentalmente determinada, isto é, a mobilidade de Hall (mH), não pode ser medida sem a aplicação de campos magnéticos, ao passo que a mobilidade calculada é a mobilidade efetiva (m). Para relacionar mH com m , usa-se o fator de Hall rH = mH/m que é uma função dos diversos mecanismos de espalhamento e que limitam o valor da mobilidade dos portadores de carga do material. Neste trabalho, desenvolvemos um método numérico para processar os dados experimentais e procuramos utilizar expressões conhecidas da literatura afim de obtermos as características elétricas das amostras. Apresentamos, então, os resultados dos cálculos teóricos da mobilidade de Hall, fator de Hall e densidade de portadores do InGaAs. Calculamos a mobilidade a partir da combinação dos mecanismos de espalhamento, a saber: espalhamento por fonons ópticos (PO), por impurezas ionizadas (II) e por desordem no potencial da rede (AS)

Abstract: The resistivity and Hall coefficient of n-In0.53Ga0.47As epitaxial films grown on InP:Fe semi-isolating temperatures in the range 4.2-300 K. The Hall mobility mH experimentally determined cannot be measured without the application of magnetic fields, while the calculated mobility is...

Abstract: The resistivity and Hall coefficient of n-In0.53Ga0.47As epitaxial films grown on InP:Fe semi-isolating temperatures in the range 4.2-300 K. The Hall mobility mH experimentally determined cannot be measured without the application of magnetic fields, while the calculated mobility is usually the effective or drift mobility (m). To correlate mH with m , one use the Hall factor rH = mH/m which is function of several scattering mechanisms which limit the value of mobility of the charge carriers in the materials. In this work, we developed a numeric method to deal which the experimental data and looked for make use of known expression from literature toward get electrical characteristics of the sample. So, we present results of theoretical calculations of Hall mobility, Hall factor and carrier density InGaAs. We calculated the mobility determined by combination of polar-optic phonon (PO), ionized impurities (II) and alloy (AS) scattering mechanisms